Modèle de mémoire qpc

Dans un travail ultérieur, Miranda et coll. ont proposé un modèle de courant-tension simple basé sur la constriction quantifiée de RRAM (Fig. 21) et a expliqué l`unité minimale de conductance de 0,5. Le courant de gauche i − et le courant de droite i + ont été respectivement calculés comme: le parcourant persistant du volume de stockage massive a été la conduite du processus de mise à l`échelle vers le bas des dispositifs de mémoire pendant des décennies. Des mémoires caractérisés par une faible consommation d`énergie et un faible coût de fabrication sont nécessaires. La mémoire flash prédominante a atteint une limitation d`échelle vers le bas autour de la magnitude de 10 nm [1, 2]. Par conséquent, des études intensives ont été menées dans la recherche des mémoires de nouvelle génération. La mémoire d`accès aléatoire résistive (RRAM) est devenue l`un des candidats les plus prometteurs pour la mémoire de nouvelle génération [3 – 14] en raison de l`excellente évolutivité intrinsèque, de la structure simple métal-isolant-métal (MIM), du faible coût de fabrication, de l`intégration 3D faisabilité et des performances prometteuses en matière de vitesse, de puissance, d`endurance, de rétention, etc. RRAM stocke les informations en fonction de l`effet de commutation résistive. Dans le champ électrique externe approprié, l`état de résistance du dispositif RRAM peut être commuté de façon réversible entre un état de résistance élevé (HRS) ou un État hors-circuit et un état de faible résistance (LRS) ou ON-State.

Il existe deux modes de commutation résistive, c`est-à-dire des opérations de commutation unipolaires et bipolaires sous les mêmes polarités de polarisation opposées, respectivement, qui sont étroitement liées aux différents systèmes de matériaux et aux différents mécanismes de commutation. La commutation résistive peut être un phénomène uniforme ou localisé. La commutation uniforme s`adapte proportionnellement à la surface totale du matériau de commutation, tandis que la commutation localisée est généralement basée sur la formation et la perturbation du filament conducteur (CF). Pour faire face à la conduction post-panne (BD) du diélectrique de barrière du transistor d`effet de champ (FET), Suñé et Miranda ont établi le modèle de contact quantique de point (QPC) [214]. Récemment, il a été constaté que le modèle QPC peut également être utilisé pour décrire la conduction de l`état de résistance élevée et faible dans RRAM [71, 179, 182, 212, 215 – 219]. Ce modèle traite la partie la plus mince des FC comme un point de contact quantique. Il est capable d`expliquer le phénomène de quantification de la conductance dans RRAM. L`illustration schématique du modèle QPC est illustrée à la Fig. 20 [212]. La partie la plus fine des FC est composée de quelques atomes (Fig.

20A) et modélisée comme barrière potentielle avec plusieurs sous-bandes quantifiée. Un modèle similaire a été proposé par Mehonic et coll. [186]. Ce modèle traite les filaments comme des constrictions quantiques dans le cadre de la théorie Landauer. Dans ce modèle, la chute potentielle sur les deux extrémités de la constriction n`est pas supposée être symétrique. On a calculé le temps de programmation (TP) d`une cellule RRAM dont la résistance tend à augmenter jusqu`au multiple entier de Il a été constaté que plusieurs paramètres de matériaux intrinsèques, y compris ve, di, WA − WC (la différence entre les fonctions de travail de l`anode et de la cathode), influencent le temps de programmation des cellules vierges AG/GeS2/W. Après avoir sélectionné les valeurs appropriées pour ces paramètres, le modèle peut bien décrire la dépendance de TP sur la tension, la température et l`épaisseur GeS2 (pour les couches épaisses), qui est en relation étroite avec la quantification de la conductance sur l`État. Le modèle est efficace pour les cas de tension constante et de programmation de tension rampée. Une autre étude expérimentale de la quantification de la conductance a été signalée par le même groupe dans l`appareil AG/GeS2/W RRAM par la suite [193] et le résultat est répertorié dans le tableau 2. L`illustration schématique de ce modèle est illustrée à la Fig.

22. La constriction quantique latérale confinée pour les transporteurs à traverser produit un ensemble de sous-bandes unidimensionnelles discrètes dans la bande de conduction.

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